Samsung usará tecnologia de fabricação de chips preferida pela SK Hynix à medida que a corrida de chips de IA esquenta, dizem fontes

A Samsung Electronics 005930 planeja usar uma tecnologia de fabricação de chips defendida pela rival SK Hynix, disseram cinco pessoas, enquanto a maior fabricante mundial de chips de memória busca se atualizar na corrida para produzir chips de última geração usados ​​para alimentar a inteligência artificial.

A demanda por memória de alta largura de banda(HBM) chips cresceu com a crescente popularidade da IA ​​generativa. Mas a Samsung, ao contrário de seus pares SK Hynix 000660 e Micron Technology MU, tem se destacado por sua ausência em qualquer acordo com a líder de chips de IA Nvidia NVDA para fornecer os mais recentes chips HBM.

Uma das razões pelas quais a Samsung ficou para trás é a decisão de aderir à tecnologia de fabricação de chips chamada filme não condutor.(NCF) isso causa alguns problemas de produção, enquanto a Hynix mudou para o enchimento inferior moldado por refluxo de massa(MR-MUF) método para resolver a fraqueza da NCF, de acordo com analistas e observadores da indústria.

A Samsung, no entanto, emitiu recentemente pedidos de compra de equipamentos de fabricação de chips projetados para lidar com a técnica MUF, disseram três fontes com conhecimento direto do assunto.

“A Samsung teve que fazer algo para aumentar seu HBM(Produção) rende… adotar a técnica MUF é um pouco do tipo engolir seu orgulho para a Samsung, porque acabou seguindo a técnica usada pela primeira vez pela SK Hynix”, disse uma das fontes.

Os rendimentos de produção de chips HBM3 da Samsung estão em cerca de 10-20%, enquanto a SK Hynix garantiu taxas de rendimento de cerca de 60-70% para sua produção de HBM3, de acordo com vários analistas.

O HBM3 e o HBM3E, as versões mais recentes dos chips HBM, estão em alta demanda. Eles são fornecidos com chips microprocessadores principais para ajudar a processar grandes quantidades de dados em IA generativa.

A Samsung também está em negociações com fabricantes de materiais, incluindo a japonesa Nagase 88012, para obter materiais MUF, disse uma fonte, acrescentando que a produção em massa de chips de última geração usando MUF provavelmente não estará pronta até o próximo ano, no mínimo. já que a Samsung precisa realizar mais testes.

As três fontes também disseram que a Samsung planeja usar técnicas NCF e MUF para seu mais recente chip HBM.

A Samsung disse que sua tecnologia NCF desenvolvida internamente é uma “solução ideal” para produtos HBM e seria usada em seus novos chips HBM3E. “Estamos conduzindo nossos negócios de produtos HBM3E conforme planejado”, afirmou a Samsung em comunicado.

Nvidia e Nagase não quiseram comentar.

Todas as fontes falaram sob condição de anonimato, pois a informação não é pública.

O plano da Samsung de usar MUF ressalta a crescente pressão que enfrenta na corrida de chips de IA, com o mercado de chips HBM, de acordo com a empresa de pesquisa TrendForce, visto mais do que dobrar este ano, para quase US$ 9 bilhões, em meio à demanda relacionada à IA.

NCF VERSUS MUF

A tecnologia de fabricação de chips de filme não condutor tem sido amplamente utilizada pelos fabricantes de chips para empilhar múltiplas camadas de chips em um chipset compacto de memória de alta largura de banda, já que o uso de filme fino comprimido termicamente ajuda a minimizar o espaço entre os chips empilhados.

Mas muitas vezes há problemas ligados aos materiais adesivos, pois a fabricação fica complicada à medida que mais camadas são adicionadas. A Samsung afirma que seu mais recente chip HBM3E possui 12 camadas de chip. Os fabricantes de chips têm procurado alternativas para resolver essas fraquezas.

A SK Hynix mudou com sucesso para a técnica de enchimento moldado por refluxo em massa antes dos outros, tornando-se o primeiro fornecedor a fornecer chips HBM3 para a Nvidia.

A participação de mercado da SK Hynix em HBM3 e em produtos HBM mais avançados para Nvidia é estimada em mais de 80% este ano, de acordo com Jeff Kim, analista da KB Securities.

A Micron juntou-se à corrida de chips de memória de alta largura de banda no mês passado, anunciando que seu mais recente chip HBM3E será adotado pela Nvidia para alimentar os chips H200 Tensor desta última, que começarão a ser comercializados no segundo trimestre.

A série HBM3 da Samsung ainda não passou na qualificação da Nvidia para acordos de fornecimento, de acordo com uma das quatro fontes e outra pessoa com conhecimento da discussão.

Seu revés na corrida aos chips de IA também foi notado pelos investidores, com suas ações caindo 7% este ano, atrás da SK Hynix e da Micron, que subiram 17% e 14%, respectivamente.